Albert Fert

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Albert Fert
Información personal
Nacimiento 7 de marzo de 1938 (86 años)
Carcassonne, Francia
Residencia Paris, Francia
Nacionalidad Francesa
Familia
Padre Charles Fert Ver y modificar los datos en Wikidata
Hijos 2 Ver y modificar los datos en Wikidata
Educación
Educado en Escuela Normal Superior de Paris, Universidad Paris-Sur
Información profesional
Ocupación Físico, profesor universitario e investigador Ver y modificar los datos en Wikidata
Área Física Ver y modificar los datos en Wikidata
Conocido por magnetorresistencia gigante, eskyrmiones, espintrónica
Empleador Universidad Paris-Sur, Unité Mixte de Physique CNRS/Thales
Miembro de

Albert Fert (Carcassonne, 7 de marzo de 1938) es un físico francés y uno de los descubridores de la magnetorresistencia gigante. Este efecto físico revolucionó la tecnología de los discos duros, permitiendo un gran incremento de su capacidad. En la actualidad, Fert es profesor emérito en la Universidad de París-Sur en Orsay, y director científico de un laboratorio conjunto ("unité mixte de recherche") entre el CNRS (Centre National de la Recherche Scientifique) y Thales Group. Albert Fert obtuvo el Premio Nobel de Física, junto a Peter Grünberg, en 2007.

Biografía

Fert se graduó en 1962 en la Escuela Normal Superior de París. Posteriormente, obtuvo un doctorado de tercer ciclo (1963) y un doctorado en ciencias, ambos en la Facultad de Ciencias de la Universidad de París-Sur en Orsay.

En 1988, Albert Fert en Orsay (Francia) y Peter Grünberg en Jûlich (Alemania) descubrieron simultánea e independientemente la magnetorresistencia gigante (GMR, por sus siglas en inglés) estudiando multicapas metálicas.​ Se atribuye a este descubrimiento el nacimiento de la espintrónica,​ un nuevo tipo de electrónica que aprovecha no sólo en la carga de los electrones, sino también sus propiedades magnéticas (espín). La espintrónica cuenta con aplicaciones tecnológicas importantes. Entre otras, las cabezas lectoras de disco duro basadas en la GMR, que han permitido un aumento considerable de su capacidad de almacenamiento de datos,​ o las memorias de tipo MRAM,​ para las que se prevé una rápida aplicación e impacto en la arquitectura de ordenadores y teléfonos móviles. Albert Fert cuenta con numerosas contribuciones al desarrollo de la espintrónica y, tras haber recibido el Nobel en 2007, ha trabajado en la aplicación de efectos topológicos a ese campo.​ Sus estudios más recientes los ha consagrado a un tipo de solitones magnéticos topológicamente protegidos, denominados eskyrmiones,​ y a la conversión entre corrientes de espín y de carga en aislantes topológicos.

Premios y distinciones

Referencias

  1. «The Nobel Prize in Physics 2007». Royal Swedish Academy of Sciences. 10 de septiembre de 2007. 
  2. Baibich, M. N.; Broto, J. M.; Fert, A.; Van Dau, F. Nguyen; Petroff, F.; Etienne, P.; Creuzet, G.; Friederich, A. et al. (21 de noviembre de 1988). «Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices». Physical Review Letters 61 (21): 2472-2475. doi:10.1103/PhysRevLett.61.2472. Consultado el 15 de enero de 2018. 
  3. Binasch, G.; Grünberg, P.; Saurenbach, F.; Zinn, W. (1 de marzo de 1989). «Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange». Physical Review B 39 (7): 4828-4830. doi:10.1103/PhysRevB.39.4828. Consultado el 15 de enero de 2018. 
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  6. Åkerman, Johan (22 de abril de 2005). «Toward a Universal Memory». Science (en inglés) 308 (5721): 508-510. ISSN 0036-8075. PMID 15845842. doi:10.1126/science.1110549. Consultado el 15 de enero de 2018. 
  7. Soumyanarayanan, Anjan; Reyren, Nicolas; Fert, Albert; Panagopoulos, Christos (23 de noviembre de 2016). «Emergent phenomena induced by spin–orbit coupling at surfaces and interfaces». Nature (en inglés) 539 (7630): 509-517. ISSN 1476-4687. doi:10.1038/nature19820. Consultado el 15 de enero de 2018. 
  8. Fert, Albert; Reyren, Nicolas; Cros, Vincent (2017/07). «Magnetic skyrmions: advances in physics and potential applications». Nature Reviews Materials (en inglés) 2 (7). ISSN 2058-8437. doi:10.1038/natrevmats.2017.31. Consultado el 15 de enero de 2018. 
  9. Rojas-Sánchez, J.-C. (2016). «Spin to Charge Conversion at Room Temperature by Spin Pumping into a New Type of Topological Insulator:». Physical Review Letters 116 (9). doi:10.1103/physrevlett.116.096602. Consultado el 15 de enero de 2018. 

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